Kioxia и Sandisk открыли в Японии фабрику Fab2 для производства 218-слойной 3D NAND-памяти

Kioxia и Sandisk запустили ^[1] в Японии завод по производству полупроводников Fab2. Он будет специализироваться на флеш-памяти следующего поколения 3D NAND, включая 218-слойную, которая в конечном итоге может применяться как в SSD, так и в центрах обработки данных и потребительских устройствах.

Fab2 также позиционируется как ключевой элемент экосистемы аппаратного обеспечения для ИИ. 

Количество слоёв флэш-памяти увеличивается каждые несколько лет. В 2020 году передовой считалась 96-слойная NAND-память, а сегодня в высокопроизводительных SSD-накопителях распространены 176-слойные конструкции. Увеличение плотности до 218 слоёв позволяет повысить плотность записи и снизить её стоимость на бит.

Fab2 также внедряет технологию CBA (CMOS direct bonded to Array). Вместо того, чтобы отделять управляющую логику ^[2] от массива памяти ^[3], CBA объединяет их, сокращая задержку и повышая эффективность. Для таких рабочих нагрузок, как обучение ^[4] ИИ, где системам необходимо максимально быстро передавать огромные наборы данных через графические процессоры, даже небольшое снижение задержки может иметь значение. 

Флэш-память также важна для периферийных устройств, например, при использовании ИИ на смартфоне, автомобиле или гаджете Интернета вещей. 

На Fab2 используется искусственный интеллект ^[5] для оптимизации производства, который обеспечивает мониторинг чистоты помещений и предиктивное обслуживание оборудования. 

Часть инвестиций Fab2 обеспечат госсубсидии, одобренные в 2024 году.

Совместные предприятия Kioxia и Sandisk существуют уже более 20 лет и обеспечивают выпуск нескольких поколений памяти NAND на заводах по всей Японии. Kioxia выросла из Toshiba, ставшей пионером в области флэш-памяти NAND в 1980-х годах. Sandisk же известна потребительскими картами памяти и USB-накопителями, но теперь превратилась в тяжеловеса в области хранения данных. 

Компании ожидают значительного объёма производства на Fab2 к середине 2026 года.

Между тем SK hynix начала ^[6] массово выпускать 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND с 321 слоем данных. Скорость записи в них увеличилась на 56%, а энергоэффективность повысилась на 23%. Изначально эти чипы появятся в SSD-накопителях для игровых ПК и ноутбуков.