Против Samsung, Micron и SK Hynix подали коллективный иск за искусственный дефицит ОЗУ

Против Samsung, SK Hynix и Micron подан коллективный иск ^[1], компании обвиняются в сговоре. Согласно документам, три производителя, которые контролируют почти 90% мирового рынка DRAM, намеренно ограничили производство традиционной памяти ^[2] под видом стратегического перехода на высокоскоростную HBM для задач искусственного интеллекта ^[3]. Это привело к резкому росту цен на память — примерно на 700% за четыре года.

По версии ^[4]заявителей, компании скоординированно перевели часть линий с выпуска DDR3 и DDR4 на выпуск HBM — сегмента с более высокой маржой. Валовая прибыль от чипов HBM в три‑пять раз превышает прибыль от стандартной DRAM, поэтому производителям было выгодно наращивать производство именно HBM. С 2022 года они перенаправили примерно 25% своих мощностей по выпуску DRAM на HBM.  

Истцы называют такую практику «скоординированным сокращением производства». По их мнению, дисбаланс между растущим спросом на обычную память и сокращением её поставок напрямую способствовал усугублению дефицита и росту цен.

В иске также указывается, что это не первый такой случай: в 2005 году Samsung и SK Hynix признали себя виновными по делу о манипулировании ценами на DRAM в период с 1999 по 2002 год и выплатили штраф в размере $300 млн и $185 млн соответственно. По мнению истцов, это свидетельствует о том, что у ответчиков выработана систематическая и повторяющаяся модель антиконкурентных практик.

При этом, как считают эксперты, независимо от исхода дела цены на память не снизятся. По оценке аналитиков Jefferies, в третьем квартале 2026 года цены на память могут вырасти ещё на 40–50% по сравнению с предыдущим кварталом, а в четвёртом квартале ожидается дополнительный рост на 30–40%. На весь 2027 год аналитики прогнозируют рост цен на уровне 40–45%, а замедлится этот рост не раньше 2028 года.